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IRFD110PBF中文资料

IRFD110PBF图片

IRFD110PBF外观图

  • 大小:1783.49KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 数据列表:IRFD110
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:540 毫欧 @ 600mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:180pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFD110PBF

IRFD110PBF供应商

更新时间:2023-01-06 11:48:43
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • IRFD110PBF

    IRFD110PBF
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 1217

  • VISHAY

  • DIP4/1531+

  • 一定原装房间现货

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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